韓國科學技術院(KAIST)的 #HBM 領域頂尖專家金正浩教授,展示了到 2040 年 #HBM 技術的精彩路線圖。對 HBM 封裝的影響:👉在 2032 年 HBM6 之前不會採用混合鍵合技術👉更薄的 DRAM 可實現 20 層堆疊,厚度小於 720 微米來源:Chips & Wafers
韓國科學技術院(KAIST)的 #HBM 領域頂尖專家金正浩教授,展示了到 2040 年 #HBM 技術的精彩路線圖。對 HBM 封裝的影響:👉在 2032 年 HBM6 之前不會採用混合鍵合技術👉更薄的 DRAM 可實現 20 層堆疊,厚度小於 720 微米來源:Chips & Wafers