據報道，英特爾與 Saimemory 旨在挑戰 SK 海力士、美光、三星的 HBM 芯片，作為首選 AI 內存的新型 Z-Angle Memory（ZAM），將由台灣力積電（PSMC）製造，目標是在 2029 年實現大規模生產。日本新光電氣將負責封裝這些先進的內存芯片。$英特爾(INTC.US) $英偉達(NVDA.US) $美光科技(MU.US) $SSNLF $HXSCL $6770.TW $6967.T #PSMC #新光電氣

來源：Dan Nystedt