據媒體報道，SK 海力士計劃利用台積電的 3 納米工藝生產其下一代 HBM4E 內存芯片的基礎芯片，以在性能上超越三星。報道補充稱，SK 海力士將使用其 10 納米級第六代（1c）DRAM 生產工藝來製造堆疊在 HBM4E 中的 DRAM。其將用於英偉達魯賓 GPU 的 HBM4 芯片，採用其第五代 10 納米級工藝製造，並使用基於台積電 12 納米工藝製造的基礎芯片。$台積電 (TSM.US) $SK 海力士 (HXSCL.US) $英偉達 (NVDA.US) $美光科技 (MU.US) #SK 海力士 #三星 #半導體

來源：Dan Nystedt