#SK 海力士 正在考慮採取一項反直覺的舉措，但這最終可能會推動 #混合鍵合 技術在 #HBM 上的採用。

歷史上，SK 海力士一直致力於盡可能減薄芯片；這使得在 JEDEC 接受的高度限制內可以堆疊更多的芯片。

但是，更薄的芯片也更容易因外部衝擊而出現性能下降和損壞。

如今，為了提升 HBM 堆棧的性能，這家內存製造商正考慮減少芯片減薄，在其 HBM 堆棧中使用更厚的芯片。

從性能角度來看，這一切都説得通。但是，如何在將堆棧高度限制在 775 微米以下（或 JEDEC 新提議的高度）的同時，既增加每堆棧的芯片數量，又增加芯片厚度呢？

答案可能正是...混合鍵合。

▶️增加芯片厚度，減少芯片之間的空間。這就是混合鍵合。

來源：Chips & Wafers