據媒體報道，三星電子已開始向客户運送下一代 HBM4e 內存芯片樣品，該芯片為 12 層高帶寬內存 4e。新芯片採用三星 1c DRAM 製造技術，速度較 HBM4 提升超過 20%，並搭載由三星代工 4 納米工藝製造的邏輯基礎芯片。$HXSCL $SSNLF $美光科技(MU.US) #三星 #SK 海力士 #半導體 #HBM
來源：Dan Nystedt
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