美光（紀要）：HBM4 已送樣，HBM3E 12Hi 順利量產

美光（MU.O）於北京時間 2025 年 6 月 26 日早的美股盤後發佈了 2025 財年第三季度財報（截止 2025 年 5 月），要點如下：

以下為美光 2025 財年第三季度的財報電話會紀要，財報解讀請移步《HBM 放量在即，美光能否乘勝追擊？》

一、$美光科技(MU.US) 財報核心信息回顧

1. Q4 指引（non-GAAP）:

a. 營收：107 億美元（±3 億美元），環比預計增長 15%。

b. 毛利率：42%（±100 個基點），受益於 DRAM 定價、產品組合及成本改善。

c. 運營費用：約 12 億美元（±2000 萬美元），環比增加因 HBM 及未來技術研發投入。

d. 每股收益：2.50 美元（±0.15 美元），基於 11.5 億股股本。

e. 税率：約 13%（2026 財年預計升至高 teens%，因新加坡全球最低税政策）。

2. 資本支出：2025 財年資本支出維持 140 億美元，主要用於 HBM、工廠建設及研發。預計年末 DRAM 庫存緊張，NAND 庫存大幅減少，整體庫存週轉天數接近目標。

3. 業務調整：啓動以市場領域為中心的業務部門重組，Q4 起按新部門披露營收、毛利率等指標。

二、美光財報電話會詳細內容

2.1 高管陳述核心信息

1. Q3 業績核心

a. DRAM 因 HBM 環比增長近 50% 創新高，為數據中心 LPDRAM 獨家供應商；

b. NAND 在數據中心及客户端固態硬盤 SSD 市場份額創紀錄，首次躋身數據中心 SSD 市場第二。

2. 技術進展：

a. 1-gamma DRAM：良率提升速度超 1-beta 節點，已完成基於該節點的 LP5 DRAM 首批合格樣品出貨；相比 1-beta，位密度提升 30%、功耗降低 20% 以上、性能提升 15%，將應用於全 DRAM 產品線。

b. NAND：QLC 佔比創歷史新高；基於 G9 2Tb QLC NAND 的高性能 SSD 進入認證階段，G9 節點產能按需求穩步提升。

3. 全球投資計劃：美國投資 2000 億美元（未來 20 餘年），含 1500 億製造、500 億研發，額外增投 300 億：建第二座愛達荷州晶圓廠、擴建弗吉尼亞工廠、佈局美國先進封裝能力，紐約工廠預計 2025 年晚些時候啓動場地準備。

4. 終端市場表現：

a. 數據中心：2025 年服務器市場單位出貨量預計增長中個位數（5% 左右），主要由 AI 服務器驅動。

- HBM：HBM3E 12 層堆疊良率 / 產能提升順利，FQ4 出貨突破；2025 年下半年份額有望接近整體 DRAM 的份額（20-25%）；已向 4 家客户（含 GPU/ASIC 平台）大批量供貨，HBM4 樣品交付多家客户，2026 年量產（帶寬超 2TB/堆棧，性能升 60%+，功耗降 20%）。

- DRAM：高容量 DIMM 和低功耗服務器 DRAM 營收創新高，2025 財年已創收數十億美元（同比增 5 倍）。

- SSD：9550 SSD 入 NVIDIA 推薦名單，6550 ION 60TB SSD 加速認證。

b. PC 市場：2025 年預計低個位數增長，依賴 AI PC 普及和 Windows 11 升級。客户端 SSD Q1 份額創新高；即將發佈基於 G9 QLC 2TB 的 SSD（寫入速度提 4 倍，性能接近 TLC）。

c. 移動市場：2025 年智能手機預計增長低個位數，AI 推動 DRAM 容量提升（更多機型將搭載 12GB + 內存）。

- DRAM：基於 1-gamma 節點的 LP5X DRAM 樣品已出貨（2026 年旗艦機用，​​AI 應用推薦速度提升 25%+，功耗降 20%）；

- NAND：G9 工藝 UFS4.1 產品獲關鍵客户訂單並量產，獲 7 家手機廠商質量獎項。

d. 汽車、工業與消費嵌入式市場

- 汽車：L2/L3 ADAS 和 AI 車載系統推動存儲需求，1-beta 雙通道 LP5 DRAM（支持 9.6Gbps）已量產就緒。

- 工業：AI 投資恢復增長（如工廠自動化），D4/LP4 供應受限 + 渠道庫存低，推動價格改善。

5. 市場展望：

a. 供需關係：2025 年 DRAM 位需求預計增長高 teens%（18% 左右），NAND 位需求增長低 double-digit%（12% 左右）；美光非 HBM DRAM 和 NAND 的位供應增長將低於行業需求。中期（DRAM 和 NAND）位需求預計增長中 teens%；2025 財年末 NAND 晶圓產能較 2024 財年降 10%（因節點轉換效率提升）。

b. D4/LP4：已向大客户發送 EOL 通知（停產通知），最終出貨將在未來 2-3 季度完成（主要產線為 1-alpha 節點，與 1-beta/1-gamma 無關）。短期內 D4 供應短缺加劇，實行配額制；LP4 短缺可能跟進；長期將繼續為汽車、工業等領域的低容量需求客户供貨。

2.2 Q&A 問答

Q：如何看待 HBM 的 TAM 隨加速器 TAM 的增長情況？這些 GPU 和定製 ASIC 所搭載的 HBM 是否存在某種限制？

A：增長情況：HBM 需求將持續上升，2025 年市場規模預計從 180 億美元增至 350 億美元；2026 年位需求增長遠超整體 DRAM 行業，且技術迭代（8 層轉 12 層、HBM4 及後續版本）提升價值，與加速器平台需求匹配，是業務增長和價值的重要驅動力，公司已做好準備維持領先。

限制：未提及明確限制。

Q：毛利率環比增長的驅動因素是什麼？這是否會成為毛利率的新基準？展望第四季度之後的未來幾個季度，有哪些推動或抑制因素？

A：驅動因素：定價好於預期，是關鍵因素；成本控制良好；產品組合優化（DRAM 增長超 NAND，數據中心產品佔比提升、消費類佔比下降）。

新基準：未提及。

展望：市場環境向好，將聚焦定價。儘管第一季度面臨較大供應限制，但會轉向更高價值的 DRAM 和 NAND 產品。

Q：23%-24% 的 HBM 市場份額是否與 350 億美元的年度規模相關，是否受季節性影響？從位數增長和下一代產品帶來的更高 ASP 來看，二者對 HBM 年度增長的貢獻應如何考量？結合市場份額在下半年達成及 23%-24% 的佔比，HBM 的營收規模大致如何？

A：規模與季節性：未直接提及與 350 億美元規模的關聯及季節性影響。僅表示有望提前達成 HBM 市場份額與自身 DRAM 份額持平（20-25%）。

貢獻：未直接回應二者貢獻佔比，強調 12 層堆疊 HBM 良率提升快於 8 層，產能提升顯著，是 HBM 業務強勁表現的重要支撐。

營收規模：第三財季 HBM 年化營收已超 60 億美元（表明第三財季為 15 億美元），且產量持續提升，結合份額目標，營收規模將隨產能和份額增長進一步擴大。

Q：HBM 方面，明年達成份額目標後，明年的正常化份額如何？若競爭對手資質問題持續到明年，公司是否有擴產計劃？擴產後份額可能如何？

A：份額：未明確具體數值，僅提及 HBM 將成為整體產品組合一部分，份額會隨終端市場變化調整，重點關注 ROI 和盈利能力。

擴產：公司已在新加坡投資擴建 HBM 後端封裝產能（2027 年投產），且 HBM 產能與其他產品可替代，具備靈活性；未直接提及競爭對手問題對份額的影響。

Q：NAND 方面，目前利用率如何？明年利用率計劃是怎樣的？取決於市場，還是因毛利率壓力需提高利用率？

A：目前利用率：總產能較 2024 財年末結構性下降 10%，利用率用率不足問題緩解，但部分產能仍未充分利用，領先製程已完全飽和。

計劃：未明確具體計劃，產能調整與 G9 節點過渡等結構性轉型相關，未提及受市場或毛利率壓力直接驅動。

Q：2026 年 HBM 供應及定價談判進展如何？明年供應是否已完全確定？考慮到 HBM3E 和 HBM4 12 層堆疊的認證週期可能較長，客户 2026 年的 HBM 需求預測是否超過公司的供應能力？

A：談判進展：正與客户合作推進中（因客户加速平台快速迭代，需規劃 HBM3E 12 層堆疊及 HBM4 的供應鏈與產品組合），尚未完全確定供應；HBM4 已送樣，聚焦客户認證，HBM3E 12 層堆疊已量產且良率提升良好。

需求預測：未直接提及需求是否超供應，僅強調 2026 年 HBM 位需求增長強勁

Q：長期資本支出計劃中，佔營收 35% 的水平對 2026 財年是否仍適用？ 因存在機遇，是否需要超此比例提前投資？

A：適用性：未直接提及該比例是否適用，僅明確當前維持約 140 億美元全年資本支出，未來將繼續擴大新增產能（含新節點設備安裝），支出時間可能因建設、補貼等因素波動。

提前投資：正推進新產能建設以應對 HBM 等需求，強調憑藉靈活資產負債表保障投資（維持技術領先），未明確提及需超 35% 比例。

Q：HBM4 因硅通孔使 I/O 容量翻倍，預期的 trade ratio（單位晶圓產能能轉化為實際可用存儲容量的效率比例）是多少？ 向 GPU 客户與 ASIC 客户銷售的 HBM 在位數及利潤率方面是否存在差異？

【trade ratio 的核心含義：假設生產 1 片傳統 DRAM 晶圓，能產出 100GB 的有效存儲容量；而生產 HBM 時，由於堆疊、封裝等步驟的良率損耗，同樣 1 片晶圓可能只能產出 30GB（即 trade ratio 為 3）】

A：HBM4 預期 trade ratio：大於 3，高於 HBM3E（約 3）；從 HBM3E 到 HBM4 再到 HBM4E，貿易比例將從 3 逐步升至 4 左右。

HBM 差異：兩者均為高價值，且未來 HBM 容量（如從 200-288GB 向更高水平提升）和價值定位均會增長。

Q：客户因關税提前備貨的情況具體如何？客户庫存水平是否已趨合理？這對下半年位需求量有何影響？

A：提前備貨：部分客户存在一定程度的關税相關備貨，但影響相對有限。

庫存水平：整體健康，已趨合理。

對下半年位需求量的影響：需求環境向好，受 AI 驅動的數據中心、汽車、工業等領域需求增長推動，預計保持增長態勢。

Q：HBM4 的認證進展如何？在 HBM4 上，是否能延續 HBM3E 的功率性能領先優勢？

A：HBM4 認證進展：已向多家客户提供樣品，客户認證工作尚未完成，計劃 2026 年滿足客户需求（作為 2026 年量產爬坡產品，契合客户下一代平台時間線）。

功率性能領先優勢：計劃延續在功耗上的優勢，且對 HBM4 量產爬坡有信心（基於 HBM3E 12 層堆疊良率、產量超預期的經驗，及採用成熟 1-beta 技術和自研先進 CMOS 邏輯芯片）。

Q：聚焦 AI 服務器，是否也帶動了對 SSD 的需求？

A：未直接提及 AI 服務器對 SSD 需求的帶動，但提到數據中心 SSD 在近期發佈的加速器平台中佔據有利地位，這將為其未來增長貢獻力量；同時2025 年下半年數據中心 SSD 表現預計好於上半年（上半年受庫存消化影響），且公司正聚焦向 NAND 市場高價值部分轉移產品結構。

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本文的風險披露與聲明：海豚投研免責聲明及一般披露