存儲卡了 AI 的脖子，又是誰卡了存儲的脖子？

卡存儲脖子的是一條從設備到材料、高度寡頭壟斷的上游供應鏈。UncleK 這篇內容將按照 HBM、DRAM、NAND 三條線拆解。

一、先説 HBM

HBM 的瓶頸不是單一環節，而是TSV 刻蝕 × 鍵合工藝 × CoWoS 封裝三重疊加，每個環節由 1-2 家企業壟斷。

TSV 深硅刻蝕：全球壟斷者$泛林集團(LRCX.US) 供應三星和 SK 海力士

混合鍵合/堆疊：$拓荊科技(688072.SH) 

ABF 載板薄膜：幾乎被味之素壟斷，國內的話$深南電路(002916.SZ) $興森科技(002436.SZ) 

CoWos 先進封裝：台積電$台積電(TSM.US) $長電科技(600584.SH) $通富微電(002156.SZ) $深科技(000021.SZ) 

晶圓切割：DISCO JP

塑封料：住友 和昭和電工，國內通過海力士認證的是$華海誠科(688535.SH) 

二、DRAM

EUV 是關鍵，DRAM 從 1α/1β/1c 製程開始必須大量使用 EUV，而 ASML $阿斯麥(ASML.US) 是全球唯一供應商，年出貨僅 50-60 台，積壓訂單 388 億歐元。

另外還有刻蝕設備$泛林集團(LRCX.US) 

薄膜沉積設備$應用材料(AMAT.US) $拓荊科技(688072.SH) 

High-k 電容材料：$雅克科技(002409.SZ) 

光刻膠：主要是日本企業 JSR、信越化學和東京應化 國內就$南大光電(300346.SZ) $彤程新材(603650.SH) 

12 英寸硅片：信越化學 SUMCO 和國內的$滬硅產業(688126.SH) 

三星平澤 P4 加速建設中但 2026 年底才能全面投產；SK 海力士 HBM 產能擠佔通用 DRAM（HBM:DRAM 產能消耗比=3:1）；美光 Q2 2026 只能滿足客户 50-66% 的需求。

三、NAND

高深寬比刻蝕逼近物理極限，3D NAND 從 176 層→232 層→300 層 +，面臨的核心挑戰是單層刻蝕在 250 層左右逼近物理天花板。

$泛林集團(LRCX.US) $中微公司(688012.SH) $應用材料(AMAT.US) $拓荊科技(688072.SH) $華特氣體(688268.SH) 

卡存儲脖子的，如果按照順序排三個梯隊，我認為分別是：

第一梯隊：核心設備和材料

$阿斯麥(ASML.US) $泛林集團(LRCX.US) $應用材料(AMAT.US) 

其次是味之素 DISCO  信越化學 和 BESI

第二梯隊：國內的高確定性企業

$北方華創(002371.SZ) $中微公司(688012.SH) $拓荊科技(688072.SH) $雅克科技(002409.SZ) $華海誠科(688535.SH) $長電科技(600584.SH) $深科技(000021.SZ) $瀾起科技(688008.SH) 

第三梯隊：相對穩健的

$華海清科(688120.SH) $滬硅產業(688126.SH) $江豐電子(300666.SZ) $鼎龍股份(300054.SZ) $安集科技(688019.SH) $華特氣體(688268.SH) $聯瑞新材(688300.SH) $生益科技(600183.SH) $菲利華(300395.SZ) $德邦科技(688035.SH) 

以上為 UncleK 本人研究，僅共享參考，不作為投資建議。