$Roundhill Memory ETF(DRAM.US)

每一個儲存板塊投資者都應該閲讀的文章。太長就不貼上來了，也尊重原作者的辛苦分析。

對 HBM、DRAM、NAND 進行了全面的分析，從能否週期性、商品屬性、模型的技術、需求、生產增速全面的進行了分析。

只有理解邏輯，才能在海力士、美光、閃迪一次次新高中作出正確的決定

在新的技術躍遷之前，以及上游的大公司 Capex 減少之前，暫時看不到太多的利空。

https://x.com/fi56622380/status/2070029693810847988

$英特爾(INTC.US)$台積電(TSM.US)$英偉達(NVDA.US)$SpaceX(SPCX.US)$美光科技(MU.US)$南方兩倍做多海力士(07709.HK)$南方兩倍做多三星(07747.HK)$閃迪(SNDK.US)