韩国 MSCI ETF - iShares

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    EEquity research

    J.P. Morgan:各大存储制造商的服务器计算内存收入构成对比

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    J.P. Morgan:各大存储制造商的服务器计算内存收入构成对比

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  • S
    StockMarket.News

    韩国 KOSPI 指数刚刚暴跌 8.5%,交易已暂停

    首尔时间上午 9 点后不久,该指数下跌 459 点至 4,925 点,触发一级熔断机制,市场冻结 20 分钟

    新订单停止。仅允许撤单

    隔夜华尔街 AI 板块的抛售点燃了导火索。纳斯达克指数下跌 5.5%,标普 500 指数下跌 4.4%,数据中心建设面临的 “蓝色浪潮” 担忧加剧

    三星电子下跌 10%,SK 海力士下跌 11.7%,领跌大盘。内存和芯片是 KOSPI 指数的核心成分

    美国交易者通过$EWY 观察这一情况。当亚洲开盘需要熔断机制来承接华尔街的交易时段时,AI 抛售已不再是一个市场的孤立故事

    来源:StockMarket.News

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  • E
    Equity research

    TechInsights 半导体部门高级副总裁崔正东(Jeongdong Choe)预计,内存繁荣将持续 3-4 年。

    > 目前供应仅满足约 85% 的需求。

    > DRAM 供应短缺约 10–12%,NAND 也面临类似缺口。

    > 崔高级副总裁预计,明年供应水平将上升至需求的 90–95%。鉴于平衡市场通常需要供应超过需求 2–3%,卖方市场可能会持续存在。

    > 潜在的由供应驱动的下行周期可能在 5–6 年后重新出现,但这仍是一个长期风险,目前未对短期前景构成压力。

    > 供应达到需求的 100% 在技术上仍然紧张;真正的均衡需要供应达到 102–103%。

    > 明年下半年,随着 HBM4 采用的加速,三星的市场份额可能上升至 25–30%。

    > 在 DRAM 领域,韩国与美国生产商之间的工艺差距已基本缩小。

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  • E
    Equity research

    花旗:内存

    “总体而言,我们认为市场低估了 DRAM/HBM 供应受限的程度。随着超大规模企业由 AI 驱动的持续加速,内存制造商正面临工艺制程缩小带来的收益递减,且必须依赖长周期的绿地产能扩张。因此,HBM 和先进内存的供应可能在 2027 年和 2028 年继续保持紧张。”

    “在我们看来,供应是被低估的关键因素:节点转换产生的密度提升幅度较小(1-delta 约 25%,而 1-gamma 及此前节点为 30-40%)。HBM 的交易比例消耗了晶圆产能,DRAM 位元增长仅在 20% 出头。真正的供应缓解需要绿地晶圆厂,但这需要很长时间,且洁净室空间是瓶颈。美光建设的支出占资本支出的比例已接近 50%。”

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    Equity research

    高盛关于 HBM 定价的观点:

    “TrendForce 预计混合 HBM ASP 将在 2027 年同比增长 122% 至 3.7 美元/GB,推动 HBM 行业收入同比增长超过 230%,突破 2000 亿美元。TrendForce 表示,价格因供应商和客户而异,差异很大,HBM4 的高端定价可能超过 5 美元/GB,而明年的低端定价接近 3 美元/GB。”

    “TrendForce 认为,由于每个存储单元的基础芯片成本更高,8-hi HBM4 在每比特基础上可能比 12-hi 高出 5-10% 的溢价,而明年 HBM4E 的定价可能显著高于 HBM4 的定价。我们认为 TrendForce 的观点与我们的预期一致,因为我们目前估计明年主要供应商的 HBM ASP 将同比增长 100-160%。”

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    Equity research

    专家要点:内存

    > 2026 年下半年供需缺口至少为 20%。

    > 主要供应商刚刚开始预测,因为 2027 年的需求尚未确定。

    > 2027 年的供需缺口可能在 10% 左右。这是一种悲观看法,认为到明年年底将达到平衡。

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    Equity research

    群联电子 CEO 不认同关于长江存储(CXMT)的内存恐慌,称其为 “市场的鬼故事”。他表示明年除了订单之外,什么都会出现短缺。他更担心的是原材料短缺导致无法按时交货,而不是订单的可预见性。

    $美光科技(MU.US) $DRAM $EWY

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  • E
    Equity research

    美银关于长鑫存储(CXMT)4F2 架构的分析:

    受美国制裁影响,无法进口 ASML 的 EUV 光刻设备,长鑫存储(CXMT)可能比 “三大” DRAM 制造商更快地推进 4F2 架构。

    尽管前三大生产商已在低到中 10nm 节点转向基于 EUV 的 6F2 设计,并研究 4F2 超过十年,但他们一直避免量产。

    这种犹豫源于制造良率低、成本高昂以及技术挑战——例如在紧凑芯片中塞入数十亿晶体管和电容器时面临的极端高温和结构脆弱问题。

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  • E
    Equity research

    SK 集团会长崔泰源希望加速芯片工厂扩建,以避免在韩国存储市场份额流失。他表示:"如果中国公司或美国美光(Micron)扩张得更快,韩国的市场份额将会萎缩。"他补充道:"需求巨大,但如果我们无法扩建工厂,那就是问题所在。"他还指出,"长江存储(CXMT)和 ymtc 正在以令人恐惧的速度推进",暗示仅靠美国的半导体限制措施难以遏制中国企业的增长。

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