内存市场更新:
- Counterpoint 预测 DRAM 季度环比增长 20%。- TrendForce 的预测更为保守,传统 DRAM 为 13-18%,NAND 为 10-15%。- 摩根士丹利将第三季度 PC DRAM 预测从 3-8% 上调至季度环比增长 15-20%。这些篮子并非完全可比,但主要结论是供应紧张状况仍然持续。SK 海力士 CEO 和董事长均确认,在美国 IPO 之后供应紧张可能会持续到 2030 年代。- 据报道,三星正在寻求第三季度 DRAM ASP 季度环比上涨高达 20%,LPDDR 涨幅可能超过 20%。这将是继第一季度 +90% 和第二季度 +60% 之后的第三次连续季度涨价。这高于 TrendForce 的预测,但如果价格上涨持续,$美光科技(MU.US)(美光科技)和 SK 海力士可能会跟进。- TrendForce 预计第三季度服务器 DRAM 合同价格将上涨 13-18%。多年期供应协议限制了部分大型美国云客户的涨价幅度。这意味着没有长期协议(LTA)且在该协议之外销售的增量体积将吸收最大的涨幅。- 据报道,SK 海力士计划在其新的长期协议(LTAs)中取消价格上限,以便现货市场的上行空间直接传导,而 $美光科技(MU.US) 的短期合约(SCAs)则设有地板价和天花板价。- TrendForce 估计,到 2026 年,HBM 将消耗前三大供应商 22% 的 DRAM 晶圆投入,但仅产生 9% 的 DRAM 位元产量。到 2027 年,这些数字将上升至 30% 和 13%。这种不成比例的晶圆消耗是传统/服务器 DRAM 保持稀缺的主要结构性原因,即使资本支出增加。- 关于 HBM4 本身,2027 年的合同谈判将在 2026 年第四季度左右进行,Digitimes 模型显示 HBM4 价格将从 2026 年下半年约 $2/Gb 转向明年的 $4-5/Gb。- 摩根士丹利认为 NAND 供应不足的情况将持续到 2027 年。- TrendForce 预计成熟 SLC NAND 价格在 2026 年下半年将上涨 120-170%,受限于成熟节点产能收缩及 MLC 向 SLC 迁移驱动。这对 $闪迪(SNDK.US)(西部数据)、铠侠和 $美光科技(MU.US) 是正面利好,而 $慧荣科技(SIMO.US)(芯成半导体)提供控制器杠杆效应。- 值得注意的是,铠侠已提交美国 ADS 上市申请,$闪迪(SNDK.US) 已将 NAND 产品定价提高两位数,并将与铠侠的合资企业延长至 2034 年。- $美光科技(MU.US) 最近也在广岛启动了一项价值 1.5 万亿日元的扩建项目,目标是在 2028 年夏季前后交付先进 DRAM 和 HBM。


