內存市場更新:
- Counterpoint 預測 DRAM 季度環比增長 20%。- TrendForce 的預測更為保守,傳統 DRAM 為 13-18%,NAND 為 10-15%。- 摩根士丹利將第三季度 PC DRAM 預測從 3-8% 上調至季度環比增長 15-20%。這些籃子並非完全可比,但主要結論是供應緊張狀況仍然持續。SK 海力士 CEO 和董事長均確認,在美國 IPO 之後供應緊張可能會持續到 2030 年代。- 據報道,三星正在尋求第三季度 DRAM ASP 季度環比上漲高達 20%,LPDDR 漲幅可能超過 20%。這將是繼第一季度 +90% 和第二季度 +60% 之後的第三次連續季度漲價。這高於 TrendForce 的預測,但如果價格上漲持續,$美光科技(MU.US)(美光科技)和 SK 海力士可能會跟進。- TrendForce 預計第三季度服務器 DRAM 合同價格將上漲 13-18%。多年期供應協議限制了部分大型美國雲客户的漲價幅度。這意味着沒有長期協議(LTA)且在該協議之外銷售的增量體積將吸收最大的漲幅。- 據報道,SK 海力士計劃在其新的長期協議(LTAs)中取消價格上限,以便現貨市場的上行空間直接傳導,而 $美光科技(MU.US) 的短期合約(SCAs)則設有地板價和天花板價。- TrendForce 估計,到 2026 年,HBM 將消耗前三大供應商 22% 的 DRAM 晶圓投入,但僅產生 9% 的 DRAM 位元產量。到 2027 年,這些數字將上升至 30% 和 13%。這種不成比例的晶圓消耗是傳統/服務器 DRAM 保持稀缺的主要結構性原因,即使資本支出增加。- 關於 HBM4 本身,2027 年的合同談判將在 2026 年第四季度左右進行,Digitimes 模型顯示 HBM4 價格將從 2026 年下半年約 $2/Gb 轉向明年的 $4-5/Gb。- 摩根士丹利認為 NAND 供應不足的情況將持續到 2027 年。- TrendForce 預計成熟 SLC NAND 價格在 2026 年下半年將上漲 120-170%,受限於成熟節點產能收縮及 MLC 向 SLC 遷移驅動。這對 $閃迪(SNDK.US)(西部數據)、鎧俠和 $美光科技(MU.US) 是正面利好,而 $慧榮科技(SIMO.US)(芯成半導體)提供控制器槓桿效應。- 值得注意的是,鎧俠已提交美國 ADS 上市申請,$閃迪(SNDK.US) 已將 NAND 產品定價提高兩位數,並將與鎧俠的合資企業延長至 2034 年。- $美光科技(MU.US) 最近也在廣島啓動了一項價值 1.5 萬億日元的擴建項目,目標是在 2028 年夏季前後交付先進 DRAM 和 HBM。


