瑞银:美光 & 存储芯片
> 定价与溢价:行业混合 HBM ASP 同比上涨约 79%,HBM4E 可能达到 >$30/GB。> DRAM & NAND 合同定价:对于 DDR,行业 C3Q 合同定价(包括长期协议)预计环比上涨 20%,其中美光在 C3Q 预计环比上涨 20%,在 C4Q 预计环比上涨 11%。对于 NAND,行业 C3Q 合同定价预计环比上涨 20%(此前为 28%),其中美光 specifically 预计环比上涨 23%(此前为 35%)。市场动态> DRAM 紧张局势:HBM 供需关系比预期更加紧张,特别是 HBM4 和 HBM4E,主要受持续供应紧张的影响。> HBM 消费与调整:2027 年 HBM 消费量从 58.7B Gb 增加到 61.5B Gb,美光 HBM ASP 现预计同比增长 72%(此前为 +61%),而位元出货量基本保持在 ~11.65B Gb 不变。> NAND & SSD 强劲:服务器/存储 SSD 需求强于预期,抵消了 PC 和智能手机的疲软,使需求前景保持建设性。> 竞争对手影响:预计长鑫存储 (CXMT) 的 DRAM 位元供应份额将从 2025 年的 ~7% 上升到 2027 年的 ~9%,但由于良率和技术的差距,产能扩张被视为有些夸大。同时,长江存储 (YMTC) 正在将增量产能从 NAND 转向 DRAM,延长了 NAND 定价周期。$美光科技(MU.US) $DRAM $EWY $SK海力士(SKHY.US) $闪迪(SNDK.US)



