高盛：内存市场与定价展望> DRAM 价格增长：受持续供应短缺推动，预计传统 DRAM 价格在

2026.07.30 05:14

高盛：内存

市场与定价展望

> DRAM 价格增长：受持续供应短缺推动，预计传统 DRAM 价格在 2026 年第三季度和第四季度均将实现稳健的双位数环比增长。

> HBM 明年上行空间：由于传统 DRAM 价格上涨，高带宽内存 (HBM) 的价格明年可能会翻倍。高盛预计 SEC 的 HBM 价格同比上涨 87%，高于彭博卖方共识估计的 52%。

> 产能 vs. 比特增长：虽然今年的产能增加超过了历史水平，但由于 HBM 交易比例较高，整体比特增长预计仍将低于历史平均水平。

行业动态与竞争

> 长期协议 (LTA)：LTA 提供了强大的约束力——覆盖了超过一半的服务器 DRAM，其条款包括大额预付款、照付不议条款以及取消惩罚。覆盖率预计将上升。

> 中国供应商：尽管积极扩大产能，但由于在产量、技术水平和产品可靠性方面存在巨大差距，中国内存竞争对手在近中期构成的威胁有限。

> 混合键合：预计采用将是渐进式的。虽然堆叠更多 DRAM 芯片会使现有的键合技术更难实现，但实现混合键合的大规模生产良率需要相当长的时间，因此公司在此期间将探索无助焊剂键合等替代方案。

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