高盛：內存市場與定價展望> DRAM 價格增長：受持續供應短缺推動，預計傳統 DRAM 價格在

2026.07.30 05:14

高盛：內存

市場與定價展望

> DRAM 價格增長：受持續供應短缺推動，預計傳統 DRAM 價格在 2026 年第三季度和第四季度均將實現穩健的雙位數環比增長。

> HBM 明年上行空間：由於傳統 DRAM 價格上漲，高帶寬內存 (HBM) 的價格明年可能會翻倍。高盛預計 SEC 的 HBM 價格同比上漲 87%，高於彭博賣方共識估計的 52%。

> 產能 vs. 比特增長：雖然今年的產能增加超過了歷史水平，但由於 HBM 交易比例較高，整體比特增長預計仍將低於歷史平均水平。

行業動態與競爭

> 長期協議 (LTA)：LTA 提供了強大的約束力——覆蓋了超過一半的服務器 DRAM，其條款包括大額預付款、照付不議條款以及取消懲罰。覆蓋率預計將上升。

> 中國供應商：儘管積極擴大產能，但由於在產量、技術水平和產品可靠性方面存在巨大差距，中國內存競爭對手在近中期構成的威脅有限。

> 混合鍵合：預計採用將是漸進式的。雖然堆疊更多 DRAM 芯片會使現有的鍵合技術更難實現，但實現混合鍵合的大規模生產良率需要相當長的時間，因此公司在此期間將探索無助焊劑鍵合等替代方案。

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