瑞銀:美光 & 存儲芯片
> 定價與溢價:行業混合 HBM ASP 同比上漲約 79%,HBM4E 可能達到 >$30/GB。> DRAM & NAND 合同定價:對於 DDR,行業 C3Q 合同定價(包括長期協議)預計環比上漲 20%,其中美光在 C3Q 預計環比上漲 20%,在 C4Q 預計環比上漲 11%。對於 NAND,行業 C3Q 合同定價預計環比上漲 20%(此前為 28%),其中美光 specifically 預計環比上漲 23%(此前為 35%)。市場動態> DRAM 緊張局勢:HBM 供需關係比預期更加緊張,特別是 HBM4 和 HBM4E,主要受持續供應緊張的影響。> HBM 消費與調整:2027 年 HBM 消費量從 58.7B Gb 增加到 61.5B Gb,美光 HBM ASP 現預計同比增長 72%(此前為 +61%),而位元出貨量基本保持在 ~11.65B Gb 不變。> NAND & SSD 強勁:服務器/存儲 SSD 需求強於預期,抵消了 PC 和智能手機的疲軟,使需求前景保持建設性。> 競爭對手影響:預計長鑫存儲 (CXMT) 的 DRAM 位元供應份額將從 2025 年的 ~7% 上升到 2027 年的 ~9%,但由於良率和技術的差距,產能擴張被視為有些誇大。同時,長江存儲 (YMTC) 正在將增量產能從 NAND 轉向 DRAM,延長了 NAND 定價週期。$美光科技(MU.US) $DRAM $EWY $SK海力士(SKHY.US) $閃迪(SNDK.US)



