野村證券:DRAM/NAND 晶圓產能
三星電子> DRAM 產能增長:預計 SEC 的 DRAM 產能將從 2024 年底的每月 65.5 萬片晶圓顯著擴張至 2030 年底的每月 126.4 萬片晶圓,這得益於 P4、P5 和 P6 等階段的重大產能增加。同比增長 (y-y) 在 2030 年達到峯值, notably 為 22%。> NAND 產能趨勢:NAND 產能在短期內波動(2025 年和 2027 年出現下滑),但在本十年末大幅攀升,到 2030 年底達到每月 53.3 萬片晶圓,同比增長 29%。SK 海力士> DRAM 擴張:SK 海力士將總 DRAM 產能從 2024 年的 47.4 萬片提升至 2030 年底的每月 118.3 萬片晶圓。預計在 2028 年(同比增長 25%)和 2030 年(同比增長 26%)將出現主要增長激增,這主要得益於 Y1、Y2 和 Y3 階段的新擴建。> NAND 軌跡:在經歷 2025 年至 2027 年的產能收縮後,SK 海力士的 NAND 生產自 2028 年起急劇飆升(同比增長 58%),到 2030 年底達到每月 58 萬片晶圓。美光> DRAM 增長與區域分佈:美光的 DRAM 產能穩步增長,從 2024 年的 31 萬片增至 2030 年底的每月 69 萬片晶圓。擴張由其台灣設施(從 19.5 萬片擴大至 43 萬片)以及其美國/日本業務共同支撐。> NAND 穩定性:美光的 NAND 產能通過 2026 年保持在每月 13 萬片晶圓的穩定水平,隨後通過新生產線(如 Fab 10 B 和 Fab 11)進行擴張,到 2029–2030 年達到每月 28 萬片晶圓。$美光科技(MU.US) $DRAM $EWY






